Micron เริ่มผลิตต้นแบบแรม DDR4

by on 10 May, 2012 - 15:45, under Technology - Hardware Tags: , , ,

ข่าวคราวเรื่อง DDR4 มีออกมาตั้งแต่ช่วงเดือนสิงหาคมปีที่แล้วตั้งแต่มีการวางสเปคมาตรฐานกันโดย Joint Electron Devices Engineering Council (JEDEC) ว่าแรม DDR4 จะมีหน้าตาออกมายังไงบ้างและ Samsung คือเจ้าแรกที่เริ่มผลิตแรม DDR4 ออกมาทดสอบตั้งแต่ช่วงการประกาศสเปคออกมา วันนี้มีอีกเจ้าที่เริ่มทำการผลิตตัวทดสอบแล้วเช่นกันคือ Micron ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำชื่อดัง

สำหรับเทคโนโลยีที่ Micron นำมาใช้การผลิตนั้นก็เป็นเทคโนโลยีเดียวกันกับที่ Samsung ใช้นั่นก็คือการผลิตแบบ 30 nm โดยสเปคที่ทาง JEDEC ได้วางไว้นั้นสรุปได้คร่าวๆ คือ DDR4 จะใช้แรงดันไฟได้สูงสุดที่ 1.2 V หากเทียบกับ 1.5 V ที่ใช้ใน DDR3 หมายความว่า DDR4 จะกินพลังงานน้อยลง แต่กลับได้อัตราแบนด์วิธที่มากถึง 3.2 billion transfers per second ซึ่งมากถึง DDR3 รุ่นท๊อปในปัจจุบันนี้ถึงสองเท่ากันเลย

แน่นอนว่าคำถามที่สำคัญคือเราจะได้ใช้กันตอนไหน คำถามนี้ยังไม่มีใครตอบได้แต่คิดว่าไม่เกิดขึ้นในเร็วๆ นี้ค่อนข้างจะแน่นอนเพราะเทคโนโลยีการผลิตแบบ 30 nm ยังเป็นเทคโนโลยีการผลิตที่ใหม่อยู่สำหรับหน่วยความจำ แม้แต่ซีพียูในปัจจุบันก็ยังอยู่ในระดับนี้ หมายความว่ามันจะทำให้ต้นทุนในการผลิตสูงขึ้นในช่วงเริ่มต้นเพราะความหนาแน่นของหน่วยความจำและทรานซิสเตอร์ยังสูงอยู่ รวมถึงอีกประเด็นคือ Intel ยังไม่มีแผนการที่จะแรมแบบ DDR 4 มาใช้เลยในแผนการผลิตซีพียูรุ่นต่อๆ ไป แต่ได้ข่าวว่าจะนำมาใช้ในซีพียูระดับ server อย่าง XEON รหัส Haswell-EX ในปี 2014 นู่นเลย งานนี้ผู้ใช้ซีพียูระดับบ้านๆ แบบเราก็อาจต้องรอกันนานกว่าเดิมยิ่งขึ้นไปอีก

Source: Ars Technica

บทความอื่นๆ ที่น่าสนใจ:

:, , ,

ร่วมแสดงความคิดเห็น