วันนี้บริษัท Crossbar ซึ่งเป็นบริษัท start-up ประกาศเปิดตัวเทคโนโลยี RRAM (Resistive Ram) ที่บริษัทตัวเองได้พัฒนาขึ้นมา โดยชูจุดเด่นที่สามารถรองรับความจุได้ถึงระดับ Terrabyte หรือมากกว่านั้น
Resistive Ram นั้นถือว่าปีนี้กำลังมาแรงและน่าสนใจทีเดียว เพราะมันอาจจะเข้ามาแทนหน่วยความจำแบบเดิมที่เราใช้กันทั้งหมดซึ่งก็ได้แก่ NAND (หรืออีกชื่อคือ Flash Memory) โดยมีความสามารถหลายอย่างที่น่าสนใจเช่นสามารถเขียนและอ่านได้อย่างรวดเร็ว ใช้พลังงานต่ำ มีขนาดเล็ก และถึกทนมากกว่า โดยเทคโนโลยี RRAM ที่ทาง Crossbar เอามานำเสนอนี้กล่าวว่าสามารถนำข้อมูลขนาด 1TB ใส่ได้ในขนาดชิปเพียง 200mm2 (ขนาดประมาณ 14.4×14.4mm) และด้วยสถาปัตยกรรมที่ง่ายกว่า ทำให้สามารถทำ 3D Stacking เพื่อเพิ่มขนาดให้มากกว่านี้ก็ทำได้เช่นกัน โดยลูกเล่นของ RRAM ที่ทาง Crossbar ได้พัฒนาอยู่นั้นมีลูกเล่นที่สำคัญคือ
- Highest Capacity: Up to 1 Terabyte (TB) of Storage on a Single Chip; Multiple Terabytes with 3D Stacking
- Lowest Power: Extends Battery Life to Weeks, Months or Years
- Highest Performance: 20x Faster Write than NAND
- Easiest SOC Integration: Simple Stacking on Logic in Standard CMOS at Most Advanced Nodes
- Most Reliable: 10x the Endurance of NAND; Approaching DRAM Reliability
ถือว่าลูกเล่นนั้นเหนือกว่า Flash Memory ในแทบทุกด้านกันเลย แต่สำหรับเราๆ นั้นก็ยังอยากรู้กันอยู่เช่นกันว่าราคาเมื่อไหร่จะสามารถสร้างออกมาเพื่อให้คนปกติแบบเราได้ใช้งานกันได้ ซึ่งก็พอจะมีข่าวออกมาบ้างเนื่องจากเมื่อปลายเดือนที่ผ่านมา Panasonic กล่าวว่าจะเป็นค่ายแรกที่นำคอมพิวเตอร์ที่ใช้ ReRAM (มันก็คือ Resistive Ram เหมือนกันแต่เรียกตัวย่อต่างกัน) ออกวางจำหน่ายในช่วงเดือนสิงหาคมนี้
Source: Crossbar Press Release